光耦的一些常用参数

<光耦常用参数正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过电流。 反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二.极管中.流过电流。

反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时>.

结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。

>反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极.与发.射集间电压降<。

输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，(并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被.测管技术条件.中规定）集电极.与发射极.之间电压降。 反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电.极至发射极间.电压为.规定值时，流过集电极电流为反向截止电流)。

电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，<输出电流和发光(二极管正向电流之比)为电流传输比CTR>。

<脉冲上升时间tr>、(下降时间tf)光耦合器在规定工作.条件下，发光二.极管入.规定电流IFP.脉冲波(所需时间为脉冲上升时间tr)，所需时间为脉冲下降.时间(tf) 传延时间tHL、tLH：光合器工条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。

入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

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