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光耦合器的技术参数主要是有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。除此以外还有需要注意的，在传输数字信号时还需要考虑上升的时间、下降的时间、延迟的时间和存储的时间等参数。
电流的传输比是光耦合器参数中的重要参数，通常系用直流电流传输比来表示的。当输出电压保持恒定的时候，它就等于直流输出电流IC与直流输入电流IF之间的百分比。
因此使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，所以在设计电路的时候，必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在国内的应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现出开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），可以运用于单片机的输出隔离；因此所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
