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提高光耦817的CTR

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 甚么是转换效力CTR?

下图表现一个应用晶体管耦合器的通俗路线。假如LED电流IF运行至输入端,集電器電流IC將運行至輸出端。该电流传输比称为转换效力(CTR: 电流传输比)经由过程(IC/IF)× 100(%)表现。与晶体管的hFE同样,轉換效力是晶體管藕合器壹個重要的參數。

改良光耦电路 削减电流耗费 延缓LED老化

改良光耦电路,能夠晉升零電壓丈量的精度。

    有分歧潜路事情的电路中,用光耦树立电流断绝看上去彷佛很简略。光耦从断绝电路中获得能量,因为LED老化,开关绝对慢且不稳定。若不用光藕,可使用如Analog Devices公司的ADUM12xx或Texas Instruments 公司的ISO72x代替。本计划计划论述了一个简略改良光耦电路的办法。

    表现了两个通用的0V同步交换计划。经由过程光耦负载电阻的削减,開關變得更慢更不確定,削减光耦的LED电流,测验考试削减断绝电路中的能量耗费。為完成更快更敏捷的開關,将不能不就义能量效力;因为能量效力和交换电压大小的反向干系,这个就义的利益是无限的。           

    光耦的LED在类似全交换轮回过程当中超乎寻常的险些持续发光,招致功耗效力低,且使光耦老化得绝对较快:一个明显的毛病是过原点偏差过大且险些不可控;电路的灵敏度规模寄托光耦的参数。計劃不是壹個抱負計劃。就效力而言,寄托光耦的电流转换率和交换幅值,它们能输入5到100 mA。

   的计划克服了能耗过大、不肯定开关和LED老化的成绩。它异常适用于宽交换规模的利用。电路比拟,LED只在過原點鄰近發光,且由前置充电电容接管能量,以是经由过程10到100的因数削减均匀电流耗费。计划也供给更快、更肯定和更灵敏的开关。盼望延缓LED老化。电阻R1和R2耗费的热功率不小于1.5W,以是在统一电路板地区用0.1W装备调换内部器件

            电路的重要部门由幅值检波器D1、电容C1和Schmitt触发器Q1/Q2构成,节制流过光耦的LED电流。D2和D3稳固Q2的基电压,從而其集電極電流驅動光藕。电容C1经由过程R1、R2和D1充电。

    险些一切交换周期中,除过原点邻近,Q1为开,Q2为关。靠近过原点时, Schmitt觸發器Q1和Q2的狀況轉變,因為由Q2、D2、D3、R5和R6構成的電路按I=(2×VD–VBE2)/R6穩固電流,在VD为D2或D3上的电压降,VBE2為Q2的基射極電壓。

    一些利用不需要Schmitt触发器固有的磁滞性;如许的一个计划。它也展现了如何处置不要的D1最小反转电流。但是,電路更適用於純同步和非晶閘管節制   。因为LED电流的稳定性,这些计划使输出交换电压的规模扩展,其有利于多尺度交换供电计划;有机遇在LED没有过载风险的情况下设置LED电流;削减光耦不稳定的影响。如许计划的另一个上风为其固有更平安的特征。在終端的情況下,光耦在断绝与非断绝侧之间通报的电流比图1电路中少10到100倍。光耦也有上风。因为低占空比,能够不丧失功率而随意率性削减光耦负载电阻R8的值。这个削减将使过原点偏差低落。