折叠贴片LED的发光原理

 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族的化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，它的核心是PN结。因此它具有一般P-N结才有的I-N特性，即正向导通反向截止和击穿特性。除此以外其在特定的条件下，它还具有发光的特性。在正向的电压下，电子将由N区注入P区，空穴亦将由P区注入N区。进入对方区域的少数的载流子（少子）一部分与多数的载流子（多子）复合而发光。

    作假设发光是在P区中发生的话，那么这些注入的电子与价带空穴就会直接复合而发光，或者是先被发光中心捕获后，再与空穴的复合产生发光。除了这种发光复合的情况外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴进行复合，其每次释放的能量不大，不能形成可见光。由于发光的复合量相对于非发光的复合量来讲其的比例越大，光量子的效率就越高。由于这复合是在少子的扩散区内发光的，所以光是只有在靠近PN结面数μm以内产生的。

   理论和实践证明了光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即λ≈1240/Eg（nm）。式中的Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应该是在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光称为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本和价格很高，而且使用不普遍。

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