整流桥的分布

>>>整流桥壳.体正面表.面温度分布。，整流桥壳.体正面温度.分布是极不均匀，在热源（二极管）的正上方其表面温度达到109 ℃，然而在整流.桥中间位置，远离热源处却.只有75 ℃，其表面温差.可达到34℃左右。(这主要是.由于覆盖在二极.管表面是导热.性能较)差FR4（其导热系数小于3.0W/m.℃），(因此它对整.流桥壳体.正表面上温度均.匀化效果.很差)。，这也验证了为什么我们在采用整流.桥壳体正表.面温度作为计算壳温时，对测温热电偶位置放置不同，得到结果其.离散性很.差这一原因。由该图也可以进一步说明.(在整桥内部.由于.器装材料是导.热性能较差FR4)，所以.其内部.温度分布.极不均匀。(我们.以后在测量.或分析整流桥或相关.其它功率元.器件温度分布时)，应着重.注意该.现象，力图避.免该影响对.测量或测.试结果产生.影响<<<
>>(通过前面对整.流桥三种.不同形式散热分析.并结合对.一整流桥详细仿.真模型分析结果)，我们可以得出如下结论：1、 在计算整流桥的结温时，(其生产厂家所.提供Rjc(强迫风冷时)是指整流桥结与散热器相接.触整流.桥壳体表面间热阻)；2、 器件参数中所提供的Rja是指该器件在自然冷却是结温与周围环境间的热阻；3、 对带有散热器的整流桥且为强迫风冷散热地壳温测量时，(应该.采用与整流桥壳体相.接触散热.器表面温度作.为计算壳温)，必要时.可以考虑整流.桥.与散热器.间接触热阻。不然将.会引起较大正.向误差。但是本文分析结.果也能够应用于.其它塑料封装功率元器件或非塑料封装元器件（如：一般的MOS管等）。在具体使用过.程中请参照本.文分析方法.情考虑<<<
>>>(整流桥通.常.是由两只或四只.整流硅芯片作桥.式连接)，两只的为半桥。外.部采用.绝缘朔料封装.而成，(大.功率整流.桥在绝缘层外添.加锌.金属壳.包封)，增强散.热性能<<<

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